MCH3383-TL-W
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ON Semiconductor MCH3383-TL-W

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型号

MCH3383-TL-W

utmel 编号

1807-MCH3383-TL-W

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

3-SMD, Flat Lead

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET P-CH 12V 3.5A SC70FL

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MCH3383-TL-W
MCH3383-TL-W ON Semiconductor MOSFET P-CH 12V 3.5A SC70FL

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MCH3383-TL-W详情

ON Semiconductor MCH3383-TL-W重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

  • 工厂交货时间

    5 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    3-SMD, Flat Lead

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    3.5A Ta

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    0.9V 2.5V

  • Number of Elements

    1

  • Power Dissipation (Max)

    1W Ta

  • 操作温度

    150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2012

  • JESD-609代码

    e6

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • 端子表面处理

    Tin/Bismuth (Sn/Bi)

  • 端子位置

    DUAL

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    not_compliant

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • JESD-30代码

    R-PDSO-F3

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 场效应管类型

    P-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    69m Ω @ 1.5A, 2.5V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    800mV @ 1mA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    1010pF @ 6V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    6.2nC @ 2.5V

  • 漏源电压 (Vdss)

    12V

  • Vgs(最大值)

    ±5V

  • 连续放电电流(ID)

    3.5A

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.069Ohm

  • DS 击穿电压-最小值

    12V

  • RoHS状态

    Non-RoHS Compliant

  • 无铅

    无铅

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右边的3个型号有着和ON Semiconductor & MCH3383-TL-W相似的参数规格。

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MCH3383-TL-W拓展信息

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