ON Semiconductor MCT62

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

工厂交货时间

5 Weeks

触点镀层

Tin

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

8-DIP (0.300, 7.62mm)

引脚数

8

质量

774mg

Collector-Emitter Saturation Voltage

400mV

Current Transfer Ratio-Min

100% @ 5mA

Number of Elements

2

操作温度

-55°C~100°C

包装

Tube

已出版

2004

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

附加功能

UL APPROVED, VDE APPROVED

最大功率耗散

400mW

电压-隔离度

5000Vrms

输出电压

85V

输出类型

Transistor

功率耗散

400mW

电压 - 正向 (Vf) (类型)

1.2V

输入类型

DC

正向电流

60mA

最大输出电压

30V

每个通道的输出电流

30mA

上升时间

2.4μs

集电极发射器电压(VCEO)

400mV

最大集电极电流

30mA

反向击穿电压

25V

正向电压-最大值

1.5V

最大输入电流

60mA

输入电流

20mA

通态电流最大值

0.03A

接通 / 关断时间（典型值）

2.4μs, 2.4μs

电流传输比

100%

暗电流（最大）

100nA

高度

4mm

长度

10.18mm

宽度

7mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅