ON Semiconductor MGB15N40CLT4

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Test Conditions

300V, 6.5A, 1k Ω

Number of Elements

1

Collector-Emitter Saturation Voltage

10V

Collector-Emitter Breakdown Voltage

440V

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2005

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

电压箝位

电压 - 额定直流

410V

最大功率耗散

150W

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

240

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

15A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

元素配置

Single

功率耗散

150W

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Logic

晶体管应用

汽车点火装置

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

2.9V

最大集电极电流

15A

输入电容

1nF

接通时间

6000 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.9V @ 4V, 25A

关断时间-标准值（toff)

20500 ns

集极脉冲电流（Icm）

50A

Td（开/关）@25°C

-/4μs

栅极-发射极电压-最大值

22V

栅极-发射极Thr电压-最大值

2.1V

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

含铅