ON Semiconductor MGP15N40CLG
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MGP15N40CLG
1807-MGP15N40CLG
晶体管 - IGBT - 单个
TO-220-3
大陆
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Trans IGBT Chip N-CH 440V 15A 3-Pin(3 Tab) TO-220AB Rail
1最小包装量--
MGP15N40CLG详情
ON Semiconductor MGP15N40CLG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
440V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.95V
Number of Elements
1
Test Conditions
300V, 6.5A, 1k Ω
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Bulk
已出版
2005
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
附加功能
电压箝位
电压 - 额定直流
410V
最大功率耗散
150W
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
15A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
3
资历状况
不合格
元素配置
Single
功率耗散
150W
箱体转运
COLLECTOR
输入类型
Logic
晶体管应用
汽车点火装置
上升时间
4.5ns
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)
440V
最大集电极电流
15A
JEDEC-95代码
TO-220AB
接通时间
6000 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.9V @ 4V, 25A
关断时间-标准值(toff)
20500 ns
集极脉冲电流(Icm)
50A
Td(开/关)@25°C
-/4μs
栅极-发射极电压-最大值
22V
栅极-发射极Thr电压-最大值
2.1V
最大下降时间 (tf)
20000ns
达到SVHC
Unknown
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
MGP15N40CLG拓展信息
ON Semiconductor
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