ON Semiconductor MGW12N120
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MGW12N120
1807-MGW12N120
晶体管 - IGBT - 单个
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AE
1最小包装量--
MGW12N120详情
ON Semiconductor MGW12N120重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
RoHS
Compliant
Package
Bulk
厂商
onsemi
Product Status
活跃
Package Description
CASE 340K-01, 3 PIN
Package Style
FLANGE MOUNT
Moisture Sensitivity Levels
未说明
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Part Package Code
TO-247AE
Risk Rank
5.66
Ihs Manufacturer
ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Part Life Cycle Code
活跃
Number of Elements
1
Manufacturer
Rochester Electronics LLC
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer Part Number
MGW12N120
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Turn-off Time-Nom (toff)
695 ns
Manufacturer Package Code
CASE 340K-01
Turn-on Time-Nom (ton)
153 ns
系列
*
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
端子表面处理
锡铅
附加功能
ULTRAFAST, HIGH SPEED
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
COMMERCIAL
配置
SINGLE
箱体转运
COLLECTOR
晶体管应用
MOTOR CONTROL
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)
1.2 kV
JEDEC-95代码
TO-247AE
集电极电流-最大值(IC)
20 A
集电极-发射器电压-最大值
1200 V
MGW12N120拓展信息
ON Semiconductor
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