ON Semiconductor MJ11030G

生命周期状态

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安装类型

通孔

包装/外壳

TO-204AE

表面安装

NO

引脚数

2

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

90V

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.5V

Number of Elements

1

操作温度

-55°C~200°C TJ

包装

Tray

已出版

2008

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

电压 - 额定直流

90V

最大功率耗散

300W

端子位置

BOTTOM

终端形式

PIN/PEG

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

50A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

2

资历状况

不合格

极性

NPN

元素配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

AMPLIFIER

晶体管类型

NPN - Darlington

集电极发射器电压(VCEO)

90V

最大集电极电流

50A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

1000 @ 25A 5V

最大集极截止电流

2mA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

3.5V @ 500mA, 50A

集电极基极电压(VCBO)

90V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅