ON Semiconductor MJ15011G

生命周期状态

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底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-204AA, TO-3

引脚数

2

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

250V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1V

Number of Elements

1

hFEMin

20

操作温度

-65°C~200°C TJ

包装

Tray

已出版

2005

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

250V

最大功率耗散

200W

端子位置

BOTTOM

终端形式

PIN/PEG

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

10A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

2

资历状况

不合格

元素配置

Single

功率耗散

200W

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

250V

最大集电极电流

10A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

20 @ 2A 2V

最大集极截止电流

1mA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 400mA, 4A

集电极基极电压(VCBO)

250V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅