ON Semiconductor MJD18002D2T4G

生命周期状态

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底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

450V

Number of Elements

1

hFEMin

14

操作温度

-65°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2006

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

自由旋转二极管

电压 - 额定直流

450V

最大功率耗散

50W

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

2A

频率

13MHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

MJD18002

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

元素配置

Single

功率耗散

50W

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

13MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

450V

最大集电极电流

2A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

6 @ 1A 1V

最大集极截止电流

100μA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

750mV @ 200mA, 1A

转换频率

13MHz

最大击穿电压

450V

集电极基极电压(VCBO)

1kV

发射极基极电压 (VEBO)

11V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅