ON Semiconductor MJD31C1

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

100V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.2V

Number of Elements

1

hFEMin

25

操作温度

-65°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2009

JESD-609代码

e0

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8541.29.00.95

电压 - 额定直流

100V

最大功率耗散

1.56W

峰值回流焊温度（摄氏度）

240

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

3A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

MJD31

引脚数量

3

资历状况

不合格

元素配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

3MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

1.2V

最大集电极电流

3A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

10 @ 3A 4V

最大集极截止电流

50μA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.2V @ 375mA, 3A

转换频率

3MHz

集电极基极电压(VCBO)

100V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

含铅