ON Semiconductor MJD6039T4

表面安装

YES

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

安装类型

表面贴装

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

80V

Number of Elements

1

已出版

2009

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-65°C~150°C TJ

JESD-609代码

e0

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

电压 - 额定直流

80V

最大功率耗散

1.75W

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

240

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

4A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

MJD6039

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

极性

NPN

元素配置

Single

功率耗散

20W

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

SWITCHING

晶体管类型

NPN - Darlington

集电极发射器电压(VCEO)

2.5V

最大集电极电流

4A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

500 @ 2A 4V

最大集极截止电流

10μA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

2.5V @ 8mA, 2A

集电极基极电压(VCBO)

80V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

连续集电极电流

4A

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

含铅