MJE210
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ON Semiconductor MJE210

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型号

MJE210

utmel 编号

1807-MJE210

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

封装

TO-225AA, TO-126-3

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Bipolar Transistors - BJT 5A 25V 15W PNP

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MJE210 ON Semiconductor Bipolar Transistors - BJT 5A 25V 15W PNP

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MJE210详情

ON Semiconductor MJE210重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    TO-225AA, TO-126-3

  • 表面安装

    NO

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Current-Collector (Ic) (Max)

    5A

  • Number of Elements

    1

  • 操作温度

    -65°C~150°C TJ

  • 包装

    Bulk

  • 已出版

    2007

  • JESD-609代码

    e0

  • 无铅代码

    no

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin/Lead (Sn/Pb)

  • HTS代码

    8541.29.00.75

  • 端子位置

    SINGLE

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    240

  • Reach合规守则

    not_compliant

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    30

  • 基本部件号

    MJE210

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    R-PSFM-T3

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE

  • 功率 - 最大

    15W

  • 晶体管应用

    AMPLIFIER

  • 极性/通道类型

    PNP

  • 晶体管类型

    PNP

  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce

    45 @ 2A 1V

  • 最大集极截止电流

    100nA ICBO

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)

    1.8V @ 1A, 5A

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    40V

  • 转换频率

    65MHz

  • 频率转换

    65MHz

  • 最大耗散功率(Abs)

    1.5W

  • RoHS状态

    Non-RoHS Compliant

0个相似型号

技术文档: ON Semiconductor MJE210.

MJE210拓展信息

MMBT3904TT1G
MMBT3904TT1G

ON Semiconductor

MMBTA92LT1G
MMBTA92LT1G

ON Semiconductor

SMMBT5551LT1G
SMMBT5551LT1G

ON Semiconductor

BCP56-16T1G
BCP56-16T1G

ON Semiconductor

BCP56T1G
BCP56T1G

ON Semiconductor

BC857CLT1G
BC857CLT1G

ON Semiconductor

PZT2907AT1G
PZT2907AT1G

ON Semiconductor

MMBTA56LT1G
MMBTA56LT1G

ON Semiconductor

2N3904BU
2N3904BU

ON Semiconductor

MMBTA06LT1G
MMBTA06LT1G

ON Semiconductor

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