ON Semiconductor MJE271

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-225AA, TO-126-3

表面安装

NO

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

100V

Collector-Emitter Saturation Voltage

2V

Current-Collector (Ic) (Max)

2A

Number of Elements

1

hFEMin

500

操作温度

-65°C~150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2008

JESD-609代码

e0

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8541.29.00.95

电压 - 额定直流

-100V

最大功率耗散

1.5W

峰值回流焊温度（摄氏度）

240

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

-2A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

引脚数量

3

资历状况

不合格

极性

PNP

元素配置

Single

增益带宽积

6MHz

晶体管类型

PNP - Darlington

集电极发射器电压(VCEO)

3V

最大集电极电流

2A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

1500 @ 120mA 10V

最大集极截止电流

1mA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

3V @ 1.2mA, 120mA

转换频率

6MHz

集电极基极电压(VCBO)

100V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

含铅