ON Semiconductor MJE2955T
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MJE2955T
1807-MJE2955T
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-220-3
大陆
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Bipolar Transistors - BJT 10A 60V 125W PNP
--最小包装量--
MJE2955T详情
ON Semiconductor MJE2955T重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
OBSOLETE (Last Updated: 1 week ago)
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3
引脚数
3
供应商器件包装
TO-220AB
Collector-Emitter Breakdown Voltage
400V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.1V
Current-Collector (Ic) (Max)
10A
hFEMin
20
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
已出版
2010
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
-60V
最大功率耗散
75W
额定电流
-10A
基本部件号
MJE2955
极性
PNP
元素配置
Single
功率 - 最大
75W
增益带宽积
2MHz
晶体管类型
PNP
集电极发射器电压(VCEO)
8V
最大集电极电流
10A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
20 @ 4A 4V
最大集极截止电流
700μA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
8V @ 3.3A, 10A
电压 - 集射极击穿(最大值)
60V
最高频率
2MHz
最大击穿电压
60V
频率转换
2MHz
集电极基极电压(VCBO)
70V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
高度
9.28mm
长度
10.28mm
宽度
4.82mm
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
无铅
含铅
MJE2955T拓展信息
ON Semiconductor
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