ON Semiconductor MJE3055T

生命周期状态

OBSOLETE (Last Updated: 2 days ago)

包装/外壳

TO-220-3

安装类型

通孔

底架

通孔

引脚数

3

供应商器件包装

TO-220AB

Collector-Emitter Breakdown Voltage

60V

hFEMin

20

Current-Collector (Ic) (Max)

10A

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.1V

已出版

2010

包装

Tube

操作温度

-55°C~150°C TJ

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

60V

最大功率耗散

75W

额定电流

10A

基本部件号

MJE3055

极性

NPN

元素配置

Single

功率耗散

75W

功率 - 最大

75W

增益带宽积

2MHz

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

60V

最大集电极电流

10A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

20 @ 4A 4V

最大集极截止电流

700μA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

8V @ 3.3A, 10A

电压 - 集射极击穿（最大值）

60V

最高频率

2MHz

最大击穿电压

80V

频率转换

2MHz

集电极基极电压(VCBO)

70V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

宽度

4.6mm

长度

10.28mm

高度

9.15mm

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

含铅