ON Semiconductor MLD1N06CLT4G

生命周期状态

OBSOLETE (Last Updated: 14 hours ago)

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

表面安装

YES

引脚数

3

Number of Elements

1

Turn Off Delay Time

4 ns

包装

Tape & Reel (TR)

系列

SMARTDISCRETES™

已出版

2006

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

电阻

750MOhm

端子表面处理

Tin (Sn)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

应用

通用型

附加功能

逻辑电平兼容

电压 - 额定直流

62V

最大功率耗散

40W

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

1A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

MLD1N06C

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

40W

接通延迟时间

1.2 ns

晶体管应用

SWITCHING

无卤素

无卤素

上升时间

4ns

漏源电压 (Vdss)

62V

下降时间（典型值）

3 ns

晶体管类型

NPN, N-Channel Gate-Drain, Source Clamp

连续放电电流(ID)

1A

阈值电压

1.5V

栅极至源极电压(Vgs)

10V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

1A

漏源击穿电压

59V

雪崩能量等级（Eas）

80 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

漏源电阻

750mOhm

栅源电压

1.5 V

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅