ON Semiconductor NUS5531MTR2G

生命周期状态

OBSOLETE (Last Updated: 1 week ago)

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-WDFN Exposed Pad

引脚数

8

Number of Elements

1

Turn Off Delay Time

80 ns

Voltage Rated

20V PNP 12V P-Channel

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2008

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

应用

通用型

额定电流

2A PNP 5.47A P-Channel

端子位置

DUAL

额定电流

5.47A

引脚数量

8

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.46W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

8 ns

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

17.5ns

下降时间（典型值）

17.5 ns

晶体管类型

PNP, P-Channel

连续放电电流(ID)

5.47A

栅极至源极电压(Vgs)

8V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

4.4A

漏源击穿电压

12V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

集电极电流-最大值(IC)

2A

最小直流增益（hFE）

150

漏源电阻

32mOhm

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅