ON Semiconductor NUS5530MNR2G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)

工厂交货时间

2 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-VDFN Exposed Pad

表面安装

YES

引脚数

8

Collector-Emitter Saturation Voltage

-100mV

Number of Elements

1

Voltage Rated

35V PNP 20V P-Channel

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2006

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

应用

通用型

额定电流

2A PNP 3.9A P-Channel

最大功率耗散

2.5W

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

3.9A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

NUS5530MN

引脚数量

8

上升时间-最大值

55ns

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

635mW

晶体管应用

SWITCHING

无卤素

无卤素

晶体管类型

NPN, P-Channel

集电极发射器电压(VCEO)

35V

最大集电极电流

2A

连续放电电流(ID)

-3.9A

栅极至源极电压(Vgs)

-35V

最高频率

100MHz

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

20A

DS 击穿电压-最小值

20V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

集电极基极电压(VCBO)

-55V

发射极基极电压 (VEBO)

-5V

最小直流增益（hFE）

100

漏源电阻

200Ohm

VCEsat-最大值

0.3 V

最大下降时间 (tf)

70ns

高度

950μm

长度

3.3mm

宽度

3.3mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅