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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.437346
10
¥0.41259
100
¥0.389237
500
¥0.367204
1000
¥0.346419
ON Semiconductor MMBD352WT1G
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- 对比
MMBD352WT1G
1807-MMBD352WT1G
二极管 - 射频
SC-70, SOT-323
大陆
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ON SEMICONDUCTOR - MMBD352WT1G - RF SCHOTTKY DIODE, SERIES, 0.9pF, 0.6V, SOT-323, FULL REEL
--最小包装量--
¥
总价: ¥
MMBD352WT1G详情
ON Semiconductor MMBD352WT1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
工厂交货时间
15 Weeks
包装/外壳
SC-70, SOT-323
表面安装
YES
引脚数
3
二极管元件材料
SILICON
Number of Elements
2
Power Dissipation (Max)
200mW
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2005
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
HTS代码
8541.10.00.60
电压 - 额定直流
7V
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
80mA
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
MMBD352
引脚数量
3
元素配置
Dual
二极管类型
Schottky - 1 Pair Series Connection
功率耗散
300mW
正向电流
10mA
无卤素
无卤素
正向电压
600mV
峰值反向电流
10μA
最大重复反向电压(Vrrm)
7V
电容@Vr, F
1pF @ 0V 1MHz
频带
超高频
二极管电容-最大值
1pF
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
MMBD352WT1G拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor






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