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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥5.715152
10
¥5.391654
100
¥5.086463
500
¥4.798556
1000
¥4.526936
ON Semiconductor MMBD353LT1G
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- 对比
MMBD353LT1G
1807-MMBD353LT1G
二极管 - 射频
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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MMBD353LT1G Series 7 V 10 uA SMT Dual Hot Carrier Mixer Diode - SOT-23-3
--最小包装量--
¥
总价: ¥
MMBD353LT1G详情
ON Semiconductor MMBD353LT1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
工厂交货时间
4 Weeks
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
表面安装
YES
引脚数
3
二极管元件材料
SILICON
Number of Elements
2
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2009
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
HTS代码
8541.10.00.60
电容量
1pF
电压 - 额定直流
7V
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
80mA
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
MMBD353
引脚数量
3
元素配置
Dual
二极管类型
Schottky - 1 Pair Series Connection
功率耗散
225mW
正向电流
10mA
无卤素
无卤素
正向电压
600mV
反向恢复时间
5 ns
峰值反向电流
10μA
最大重复反向电压(Vrrm)
7V
电容@Vr, F
1pF @ 0V 1MHz
反向电压
7V
最大正向浪涌电流(Ifsm)
600mA
频带
超高频
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
MMBD353LT1G拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor






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