MMBD770T1G
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ON Semiconductor MMBD770T1G

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型号

MMBD770T1G

utmel 编号

1807-MMBD770T1G

商品类别

二极管 - 射频

封装

SC-70, SOT-323

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

DIODE SCHOTTKY 70V 0.2A SOT-323

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MMBD770T1G
MMBD770T1G ON Semiconductor DIODE SCHOTTKY 70V 0.2A SOT-323

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MMBD770T1G详情

ON Semiconductor MMBD770T1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

  • 工厂交货时间

    2 Weeks

  • 包装/外壳

    SC-70, SOT-323

  • 表面安装

    YES

  • 引脚数

    3

  • 二极管元件材料

    SILICON

  • Number of Elements

    1

  • 操作温度

    -55°C~125°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2006

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 附加功能

    低反向泄漏

  • HTS代码

    8541.10.00.60

  • 电压 - 额定直流

    70V

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 额定电流

    1A

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    40

  • 基本部件号

    MMBD770

  • 引脚数量

    3

  • 极性

    Standard

  • 最大额定电流

    200mA

  • 元素配置

    Single

  • 二极管类型

    Schottky - Single

  • 功率耗散

    120mW

  • 输出电流

    200mA

  • 正向电流

    200mA

  • 最大反向漏电电流

    200nA

  • 最大浪涌电流

    1A

  • 正向电压

    1V

  • 峰值反向电流

    200nA

  • 最大重复反向电压(Vrrm)

    70V

  • 电容@Vr, F

    1pF @ 20V 1MHz

  • 峰值非恢复性浪涌电流

    1A

  • 最大正向浪涌电流(Ifsm)

    1A

  • 反向电压(直流电)

    70V

  • 频带

    甚高频转超高频

  • 二极管电容-最大值

    1pF

  • 高度

    850μm

  • 长度

    2.1mm

  • 宽度

    1.24mm

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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