ON Semiconductor MMBF2201NT1
- 收藏
- 对比
MMBF2201NT1
1807-MMBF2201NT1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SC-70, SOT-323
大陆
立即发货

MOSFET N-CH 20V 300MA SOT-323
--最小包装量--
MMBF2201NT1详情
ON Semiconductor MMBF2201NT1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
SC-70, SOT-323
安装类型
表面贴装
底架
表面贴装
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
300mA Ta
Turn Off Delay Time
15 ns
Number of Elements
1
已出版
2010
包装
Cut Tape (CT)
JESD-609代码
e0
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
20V
最大功率耗散
150mW
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
240
Reach合规守则
not_compliant
额定电流
300mA
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
不合格
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
150mW
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
1 Ω @ 300mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
45pF @ 5V
上升时间
2.5ns
下降时间(典型值)
2.5 ns
连续放电电流(ID)
300mA
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.3A
漏极-源极导通最大电阻
1Ohm
漏源击穿电压
20V
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
无铅
含铅
MMBF2201NT1拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor








哦! 它是空的。