ON Semiconductor MMBF2202PT1G

生命周期状态

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底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SC-70, SOT-323

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

300mA Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

150mW Ta

Turn Off Delay Time

16 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2006

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

-20V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

-300mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

3

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

150mW

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

2.2 Ω @ 200mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

50pF @ 5V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

2.7nC @ 10V

上升时间

1ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

1 ns

连续放电电流(ID)

300mA

阈值电压

-1.7V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

20V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅