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首页 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 MMBFJ309
MMBFJ309
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ON Semiconductor MMBFJ309

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型号

MMBFJ309

品牌

ON Semiconductor

utmel 编号

1807-MMBFJ309

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 射频

封装

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBFJ309 N CHANNEL JFET, -25V, SOT-23

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MMBFJ309
MMBFJ309 ON Semiconductor FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBFJ309 N CHANNEL JFET, -25V, SOT-23

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技术参数

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型号对比

ON Semiconductor MMBFJ309重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 生命周期状态

    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 14 hours ago)

  • 工厂交货时间

    6 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 包装/外壳

    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

  • 引脚数

    3

  • 质量

    30mg

  • Breakdown Voltage / V

    25V

  • Number of Elements

    1

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2008

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 最高工作温度

    150°C

  • 最小工作温度

    -55°C

  • HTS代码

    8541.21.00.95

  • 电压 - 额定直流

    25V

  • 最大功率耗散

    350mW

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 额定电流

    30mA

  • 频率

    450MHz

  • 基本部件号

    MMBFJ309

  • 元素配置

    Single

  • 操作模式

    DEPLETION MODE

  • 功率耗散

    350mW

  • 测试电流

    10mA

  • 晶体管应用

    AMPLIFIER

  • 漏源电压 (Vdss)

    25V

  • 晶体管类型

    N-Channel JFET

  • 连续放电电流(ID)

    30mA

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    -25V

  • 增益

    12dB

  • 场效应管技术

    JUNCTION

  • 噪声图

    3dB

  • 电压-测试

    10V

  • 反馈上限-最大值 (Crss)

    2.5 pF

  • 高度

    930μm

  • 长度

    2.92mm

  • 宽度

    1.3mm

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • 辐射硬化

    无

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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