ON Semiconductor MMBT2369A

工厂交货时间

39 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current-Collector (Ic) (Max)

200mA

Number of Elements

1

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2000

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

高速饱和开关

HTS代码

8541.21.00.95

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

MMBT2369

JESD-30代码

R-PDSO-G3

资历状况

不合格

配置

SINGLE

功率 - 最大

225mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

40 @ 10mA 1V

最大集极截止电流

400nA ICBO

JEDEC-95代码

TO-236AB

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 10mA, 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

15V

转换频率

500MHz

最大耗散功率(Abs)

0.35W

关断时间-最大值（toff)

18ns

接通时间-最大值(ton)

12ns