ON Semiconductor MMBT4356

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

引脚数

3

质量

30mg

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

80V

Collector-Emitter Saturation Voltage

-500mV

Number of Elements

1

hFEMin

50

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2002

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

电压 - 额定直流

-80V

最大功率耗散

350mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

额定电流

-800mA

元素配置

Single

功率耗散

350mW

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

500mV

最大集电极电流

800mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

50 @ 10mA 10V

最大集极截止电流

50nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 50mA, 500mA

集电极基极电压(VCBO)

-80V

发射极基极电压 (VEBO)

-5V

关断时间-最大值（toff)

400ns

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅