ON Semiconductor MMBV3102LT1G
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MMBV3102LT1G
1807-MMBV3102LT1G
二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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ON SEMICONDUCTOR MMBV3102LT1G Variable Capacitance Diode, Varicap, 25 pF, 200 mA, 30 V, 150 C, SOT-23, 3 Pin
--最小包装量--
MMBV3102LT1G详情
ON Semiconductor MMBV3102LT1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
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生命周期状态
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
表面安装
YES
引脚数
3
二极管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
操作温度
125°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2006
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
终端
SMD/SMT
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
附加功能
HIGH Q, HIGH RELIABILITY
HTS代码
8541.10.00.80
电容量
20pF
电压 - 额定直流
30V
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
MMBV3102
引脚数量
3
极性
Standard
二极管类型
Single
功率耗散
225mW
正向电流
200mA
无卤素
无卤素
品质因素
200
最大重复反向电压(Vrrm)
30V
电容@Vr, F
25pF @ 3V 1MHz
反向电压(直流电)
30V
频带
极高频率
二极管电容-标称
22pF
最小击穿电压
30V
电容比
4.8
电容比环境
C3/C25
二极管容差
11.1%
最小品质因数
200
Q@Vr,F
200 @ 3V, 50MHz
高度
1.01mm
长度
3.04mm
宽度
1.4mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
MMBV3102LT1G拓展信息
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ON Semiconductor
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