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首页 分立半导体产品 二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） MMBV3102LT1G
MMBV3102LT1G
MMBV3102LT1G

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ON Semiconductor MMBV3102LT1G

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型号

MMBV3102LT1G

品牌

ON Semiconductor

utmel 编号

1807-MMBV3102LT1G

商品类别

二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器）

封装

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

ON SEMICONDUCTOR MMBV3102LT1G Variable Capacitance Diode, Varicap, 25 pF, 200 mA, 30 V, 150 C, SOT-23, 3 Pin

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MMBV3102LT1G
MMBV3102LT1G ON Semiconductor ON SEMICONDUCTOR MMBV3102LT1G Variable Capacitance Diode, Varicap, 25 pF, 200 mA, 30 V, 150 C, SOT-23, 3 Pin

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MMBV3102LT1G详情

技术参数

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型号对比

ON Semiconductor MMBV3102LT1G重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 生命周期状态

    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

  • 表面安装

    YES

  • 引脚数

    3

  • 二极管元件材料

    SILICON

  • Number of Elements

    1

  • 操作温度

    125°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2006

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • 终端

    SMD/SMT

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 附加功能

    HIGH Q, HIGH RELIABILITY

  • HTS代码

    8541.10.00.80

  • 电容量

    20pF

  • 电压 - 额定直流

    30V

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度（摄氏度）

    260

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    40

  • 基本部件号

    MMBV3102

  • 引脚数量

    3

  • 极性

    Standard

  • 二极管类型

    Single

  • 功率耗散

    225mW

  • 正向电流

    200mA

  • 无卤素

    无卤素

  • 品质因素

    200

  • 最大重复反向电压(Vrrm)

    30V

  • 电容@Vr, F

    25pF @ 3V 1MHz

  • 反向电压(直流电)

    30V

  • 频带

    极高频率

  • 二极管电容-标称

    22pF

  • 最小击穿电压

    30V

  • 电容比

    4.8

  • 电容比环境

    C3/C25

  • 二极管容差

    11.1%

  • 最小品质因数

    200

  • Q@Vr，F

    200 @ 3V, 50MHz

  • 高度

    1.01mm

  • 长度

    3.04mm

  • 宽度

    1.4mm

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • 辐射硬化

    无

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

  • 无铅

    无铅

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技术文档: ON Semiconductor MMBV3102LT1G.

右边的3个型号有着和ON Semiconductor & MMBV3102LT1G相似的参数规格。

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公司资质

ISO13485
AS
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