ON Semiconductor MMBZ12VALT1G
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MMBZ12VALT1G
1807-MMBZ12VALT1G
TVS - 二极管
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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TVS DIODE 8.5V 17V SOT23-3
--最小包装量--
MMBZ12VALT1G详情
ON Semiconductor MMBZ12VALT1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
工厂交货时间
4 Weeks
触点镀层
Tin
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
表面安装
YES
引脚数
3
二极管元件材料
SILICON
Breakdown Voltage / V
11.4V
Number of Elements
2
Reverse Stand-off Voltage
8.5V
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2007
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
终端
SMD/SMT
ECCN 代码
EAR99
类型
Zener
应用
通用型
额定功率
40W
电压 - 额定直流
12V
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
深度
1.3mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
MMBZ*A
引脚数量
3
最大输出电流
2.35A
工作电源电压
8.5V
工作电压
8.5V
泄漏电流
200nA
元素配置
共阳极
功率耗散
40W
电源线保护
无
最大反向漏电电流
200nA
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值)
17V
箝位电压
17V
峰值脉冲电流
2.35A
最大浪涌电流
2.35A
峰值脉冲功率
40W
方向
单向
测试电流
1mA
正向电压
900mV
反向击穿电压
11.4V
最大击穿电压
12.6V
ESD保护
有
双向通道数
1
高度
1.01mm
长度
2.9mm
宽度
1.4mm
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
MMBZ12VALT1G拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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