ON Semiconductor MMBZ27VALT1G
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MMBZ27VALT1G
1807-MMBZ27VALT1G
TVS - 二极管
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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TVS DIODE 22V 40V SOT23-3
--最小包装量--
MMBZ27VALT1G详情
ON Semiconductor MMBZ27VALT1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
4 Weeks
触点镀层
Tin
表面安装
YES
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
安装类型
表面贴装
引脚数
3
二极管元件材料
SILICON
Breakdown Voltage / V
25.65V
Reverse Stand-off Voltage
22V
Number of Elements
2
Power Dissipation (Max)
225mW
已出版
2007
包装
Tape & Reel (TR)
操作温度
-55°C~150°C TJ
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
终端
SMD/SMT
ECCN 代码
EAR99
类型
Zener
应用
通用型
HTS代码
8541.10.00.50
额定功率
40W
电压 - 额定直流
27V
电压 - 供电
22V
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
深度
1.3mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
MMBZ*A
工作电压
22V
泄漏电流
50nA
元素配置
共阳极
功率耗散
40W
电源线保护
无
最大反向漏电电流
50nA
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值)
40V
箝位电压
40V
峰值脉冲电流
1A
最大浪涌电流
1A
峰值脉冲功率
40W
方向
单向
测试电流
1mA
单向通道
2
反向击穿电压
25.65V
最大击穿电压
28.35V
ESD保护
有
高度
940μm
宽度
1.3mm
长度
2.9mm
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
MMBZ27VALT1G拓展信息
ON Semiconductor
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