ON Semiconductor MMBZ18VALT1G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)

工厂交货时间

4 Weeks

触点镀层

Tin

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

表面安装

YES

引脚数

3

二极管元件材料

SILICON

Breakdown Voltage / V

17.1V

Number of Elements

2

Reverse Stand-off Voltage

14.5V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

已出版

2007

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

终端

SMD/SMT

ECCN 代码

EAR99

类型

Zener

应用

通用型

HTS代码

8541.10.00.50

额定功率

40W

电压 - 额定直流

18V

最大功率耗散

225mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

深度

1.3mm

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

MMBZ*A

引脚数量

3

工作电源电压

14.5V

工作电压

14.5V

泄漏电流

50nA

元素配置

共阳极

功率耗散

40W

电源线保护

无

最大反向漏电电流

50nA

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

25V

箝位电压

25V

峰值脉冲电流

1.6A

最大浪涌电流

1.6A

峰值脉冲功率

40W

方向

单向

测试电流

1mA

单向通道

2

反向击穿电压

17.1V

最大击穿电压

18.9V

ESD保护

有

高度

1.01mm

长度

2.9mm

宽度

1.4mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅