ON Semiconductor MMJT9435T3G

生命周期状态

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底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

30V

Collector-Emitter Saturation Voltage

155mV

Number of Elements

1

hFEMin

125

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2007

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

-30V

最大功率耗散

3W

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

-3A

频率

110MHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

MMJT9435

引脚数量

4

资历状况

不合格

元素配置

Single

功率耗散

1.56W

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

3W

增益带宽积

110MHz

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

30V

最大集电极电流

3A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

125 @ 800mA 1V

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

550mV @ 300mA, 3A

转换频率

110MHz

集电极基极电压(VCBO)

45V

发射极基极电压 (VEBO)

6V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅