注：图像仅供参考，请参阅产品规格

技术文档

PDF文档列表

ON Semiconductor MMUN2113LT1G

Name: MMUN2113LT1G
Brand: ON Semiconductor
SKU: 1807-MMUN2113LT1G
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

收藏
对比

型号

MMUN2113LT1G

品牌

ON Semiconductor

utmel 编号

1807-MMUN2113LT1G

商品类别

晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置

封装

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

TRANS PREBIAS PNP 0.4W SOT23-3

起订量

--最小包装量--

添加到询价列表

MMUN2113LT1G ON Semiconductor TRANS PREBIAS PNP 0.4W SOT23-3

请发送询价，我们将立即回复。

库存:11990

请发送询价，我们将立即回复。

* 联系人姓名

* 电话

* 邮箱

* 公司名称

* 数量

在线咨询

MMUN2113LT1G详情

技术参数

PDF文档

型号对比

ON Semiconductor MMUN2113LT1G重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
工厂交货时间

4 Weeks
安装类型

表面贴装
包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
表面安装

YES
引脚数

3
Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V
Collector-Emitter Saturation Voltage

250mV
Number of Elements

1
hFEMin

80
包装

Tape & Reel (TR)
已出版

2001
JESD-609代码

e3
无铅代码

yes
零件状态

活跃
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
终止次数

3
ECCN 代码

EAR99
端子表面处理

Tin (Sn)
最高工作温度

150°C
最小工作温度

-55°C
附加功能

BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO 1
HTS代码

8541.21.00.95
电压 - 额定直流

-50V
最大功率耗散

246mW
端子位置

DUAL
终端形式

鸥翼
峰值回流焊温度（摄氏度）

260
额定电流

-100mA
时间@峰值回流温度-最大值(s)

40
基本部件号

MMUN21**L
引脚数量

3
最大输出电流

100mA
工作电源电压

50V
极性

PNP
元素配置

Single
功率耗散

246mW
晶体管应用

SWITCHING
无卤素

无卤素
晶体管类型

PNP - Pre-Biased
集电极发射器电压(VCEO)

50V
最大集电极电流

100mA
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

80 @ 5mA 10V
最大集极截止电流

500nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

250mV @ 300μA, 10mA
最大击穿电压

50V
电阻基(R1)

47 k Ω
连续集电极电流

100mA
电阻-发射极基极(R2)

47 k Ω
高度

940μm
长度

2.9mm
宽度

1.3mm
达到SVHC

无SVHC
辐射硬化

无
RoHS状态

ROHS3 Compliant
无铅

无铅

0个相似型号

技术文档: ON Semiconductor MMUN2113LT1G.

MMUN2113LT1G拓展信息

热销零件