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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥5.315448
10
¥5.01457
100
¥4.730728
500
¥4.462952
1000
¥4.210329
ON Semiconductor MOC207R2VM
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- 对比
MOC207R2VM
1807-MOC207R2VM
光隔离器 - 晶体管,光电输出
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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Transistor Output Optocouplers 8-Pin Optocoupler Phototransistor
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¥
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MOC207R2VM详情
ON Semiconductor MOC207R2VM重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
工厂交货时间
7 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
质量
252mg
Collector-Emitter Saturation Voltage
400mV
Current Transfer Ratio-Min
100% @ 10mA
Number of Elements
1
操作温度
-40°C~100°C
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2004
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
附加功能
UL RECOGNIZED, VDE APPROVED
最大功率耗散
250mW
电压-隔离度
2500Vrms
输出电压
70V
输出类型
带基极晶体管
配置
SINGLE
功率耗散
250mW
电压 - 正向 (Vf) (类型)
1.15V
输入类型
DC
光电子器件类型
晶体管输出光耦合器
正向电流
60mA
最大输出电压
30V
每个通道的输出电流
150mA
上升时间
3.2μs
下降时间(典型值)
4.7 μs
集电极发射器电压(VCEO)
400mV
最大集电极电流
150mA
上升/下降时间(Typ)
3.2μs 4.7μs
反向击穿电压
6V
最大输入电流
60mA
电流传输比(最大)
200% @ 10mA
接通 / 关断时间(典型值)
7.5μs, 5.7μs
暗电流(最大)
50nA
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
MOC207R2VM拓展信息







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