ON Semiconductor MOC211R1M
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MOC211R1M
1807-MOC211R1M
光隔离器 - 晶体管,光电输出
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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Transistor Output Optocouplers Optocoupler Phototransistor
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MOC211R1M详情
ON Semiconductor MOC211R1M重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
供应商器件包装
8-SOIC
Collector-Emitter Saturation Voltage
400mV
Current Transfer Ratio-Min
20% @ 10mA
Number of Elements
1
操作温度
-40°C~100°C
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2003
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
100°C
最小工作温度
-40°C
最大功率耗散
250mW
电压-隔离度
2500Vrms
输出电压
30V
输出类型
带基极晶体管
通道数量
1
电路数量
1
功率耗散
250mW
电压 - 正向 (Vf) (类型)
1.15V
输入类型
DC
正向电流
60mA
每个通道的输出电流
150mA
上升时间
3.2μs
正向电压
1.5V
集电极发射器电压(VCEO)
30V
最大集电极电流
150mA
上升/下降时间(Typ)
3.2μs 4.7μs
反向击穿电压
6V
最大直流驱动电流(If)
60mA
接通 / 关断时间(典型值)
7.5μs, 5.7μs
Vce 饱和度(最大值)
400mV
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
MOC211R1M拓展信息








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