ON Semiconductor MOC223R1M

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

供应商器件包装

8-SOIC

Collector-Emitter Breakdown Voltage

30V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1V

Current Transfer Ratio-Min

500% @ 1mA

Number of Elements

1

操作温度

-40°C~100°C

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2004

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

100°C

最小工作温度

-40°C

最大功率耗散

250mW

电压-隔离度

2500Vrms

输出电压

30V

输出类型

带底座的达林顿

通道数量

1

电路数量

1

功率耗散

250mW

电压 - 正向 (Vf) (类型)

1.08V

输入类型

DC

正向电流

60mA

每个通道的输出电流

150mA

上升时间

1μs

正向电压

1.3V

集电极发射器电压(VCEO)

30V

最大集电极电流

150mA

上升/下降时间(Typ)

1μs 2μs

反向击穿电压

6V

最大直流驱动电流（If）

60mA

接通 / 关断时间（典型值）

3.5μs, 95μs

Vce 饱和度（最大值）

1V

电流传输比

1000 %

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅