ON Semiconductor MOC8111M

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

6-DIP (0.300, 7.62mm)

引脚数

6

供应商器件包装

6-DIP

Collector-Emitter Saturation Voltage

400mV

Current Transfer Ratio-Min

20% @ 10mA

Number of Elements

1

操作温度

-40°C~100°C

包装

Tube

已出版

2009

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

100°C

最小工作温度

-40°C

电压-隔离度

7500Vpk

输出电压

70V

输出类型

Transistor

通道数量

1

功率耗散

260mW

电压 - 正向 (Vf) (类型)

1.15V

输入类型

DC

正向电流

90mA

上升时间

4μs

正向电压

1.65V

下降时间（典型值）

20 μs

集电极发射器电压(VCEO)

400mV

上升/下降时间(Typ)

2μs 11μs

反向击穿电压

6V

最大直流驱动电流（If）

90mA

接通 / 关断时间（典型值）

3μs, 18μs

Vce 饱和度（最大值）

400mV

RoHS状态

符合RoHS标准