ON Semiconductor MOCD207R2M

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)

工厂交货时间

5 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

质量

251.998911mg

Collector-Emitter Breakdown Voltage

70V

Collector-Emitter Saturation Voltage

400mV

Current Transfer Ratio-Min

100% @ 10mA

Number of Elements

2

操作温度

-40°C~100°C

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2004

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

附加功能

UL认证

最大功率耗散

250mW

螺纹距离

1.27mm

电压-隔离度

2500Vrms

输出电压

70V

输出类型

Transistor

行间距

5.94 mm

电压

6V

功率耗散

250mW

电压 - 正向 (Vf) (类型)

1.25V

输入类型

DC

正向电流

60mA

最大输出电压

70V

每个通道的输出电流

150mA

上升时间

1.6μs

下降时间（典型值）

2.2 μs

集电极发射器电压(VCEO)

70V

最大集电极电流

150mA

上升/下降时间(Typ)

3.2μs 4.7μs

反向击穿电压

6V

最大输入电流

60mA

输入电流

60mA

电流传输比（最大）

200% @ 10mA

接通 / 关断时间（典型值）

7.5μs, 5.7μs

Vce 饱和度（最大值）

400mV

反向电压(直流电)

6V

暗电流（最大）

50nA

宽度

4.88mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅