ON Semiconductor MOCD223M

工厂交货时间

6 Weeks

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 8 hours ago)

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

触点镀层

Tin

引脚数

8

质量

252mg

Collector-Emitter Saturation Voltage

1V

Number of Elements

2

Current Transfer Ratio-Min

500% @ 1mA

Turn Off Delay Time

55 μs

包装

Tube

操作温度

-40°C~100°C

已出版

2004

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

附加功能

UL 认证

最大功率耗散

250mW

电压-隔离度

2500Vrms

输出电压

30V

输出类型

Darlington

功率耗散

240mW

电压 - 正向 (Vf) (类型)

1.25V

输入类型

DC

接通延迟时间

10 μs

正向电流

1mA

最大输出电压

30V

每个通道的输出电流

150mA

上升时间

3.5μs

下降时间（典型值）

110 μs

集电极发射器电压(VCEO)

30V

最大集电极电流

150mA

上升/下降时间(Typ)

8μs 110μs

反向击穿电压

6V

反向电压

6V

正向电压-最大值

1.3V

最大输入电流

60mA

最大直流驱动电流（If）

60mA

输入电流

1mA

接通 / 关断时间（典型值）

10μs, 125μs

最大结点温度（Tj）

125°C

反向电压(直流电)

6V

环境温度范围高

100°C

电流传输比

1000 %

暗电流（最大）

50nA

测试电压

3kV

高度

3.63mm

宽度

6.1mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

无

达到SVHC

无SVHC

无铅

无铅