ON Semiconductor MPS2907AZL1G
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MPS2907AZL1G
1807-MPS2907AZL1G
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
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Bipolar Transistors - BJT 600mA 60V PNP
1最小包装量--
MPS2907AZL1G详情
ON Semiconductor MPS2907AZL1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
引脚数
3
Collector-Emitter Breakdown Voltage
60V
Collector-Emitter Saturation Voltage
-1.6V
Number of Elements
1
hFEMin
75
包装
Tape & Box (TB)
已出版
2010
JESD-609代码
e1
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
附加功能
欧洲零件号
电压 - 额定直流
-60V
最大功率耗散
625mW
端子位置
BOTTOM
终端形式
WIRE
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
-600mA
频率
200MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
MPS2907A
引脚数量
3
资历状况
不合格
元素配置
Single
功率耗散
625mW
晶体管应用
SWITCHING
增益带宽积
200MHz
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP
集电极发射器电压(VCEO)
1.6V
最大集电极电流
600mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
100 @ 150mA 10V
最大集极截止电流
10nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
1.6V @ 50mA, 500mA
转换频率
200MHz
集电极基极电压(VCBO)
-60V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
接通时间-最大值(ton)
45ns
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
MPS2907AZL1G拓展信息
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