ON Semiconductor MPS651

生命周期状态

OBSOLETE (Last Updated: 1 day ago)

底架

通孔

包装/外壳

TO-92-3

引脚数

3

质量

201mg

Collector-Emitter Breakdown Voltage

60V

Collector-Emitter Saturation Voltage

500mV

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

625mW

hFEMin

75

包装

Bulk

已出版

2002

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

60V

额定电流

800mA

频率

75MHz

极性

NPN

元素配置

Single

功率耗散

625mW

增益带宽积

75MHz

集电极发射器电压(VCEO)

60V

最大集电极电流

800mA

频率转换

75MHz

集电极基极电压(VCBO)

80V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅