ON Semiconductor MPSA12RLRPG

生命周期状态

OBSOLETE (Last Updated: 2 days ago)

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

20V

Number of Elements

1

hFEMin

20000

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Box (TB)

已出版

2002

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

HTS代码

8541.21.00.95

电压 - 额定直流

20V

最大功率耗散

625mW

端子位置

BOTTOM

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

MPSA12

引脚数量

3

资历状况

不合格

极性

NPN

元素配置

Single

功率耗散

625mW

晶体管类型

NPN - Darlington

集电极发射器电压(VCEO)

1V

最大集电极电流

100nA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

20000 @ 10mA 5V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 10μA, 10mA

发射极基极电压 (VEBO)

10V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅