ON Semiconductor MPSA20_D26Z
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MPSA20_D26Z
1807-MPSA20_D26Z
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
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TRANS NPN 40V 0.1A TO-92
1最小包装量--
MPSA20_D26Z详情
ON Semiconductor MPSA20_D26Z重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
48 Weeks
包装/外壳
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
安装类型
通孔
底架
通孔
引脚数
3
供应商器件包装
TO-92-3
Collector-Emitter Breakdown Voltage
40V
Current-Collector (Ic) (Max)
100mA
hFEMin
40
Number of Elements
1
包装
Tape & Reel (TR)
操作温度
-55°C~150°C TJ
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
最大功率耗散
625mW
频率
125MHz
基本部件号
MPSA20
极性
NPN
元素配置
Single
功率耗散
625mW
功率 - 最大
625mW
增益带宽积
125MHz
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
40V
最大集电极电流
100mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
40 @ 5mA 10V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
250mV @ 1mA, 10mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
40V
频率转换
125MHz
集电极基极电压(VCBO)
40V
发射极基极电压 (VEBO)
4V
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
MPSA20_D26Z拓展信息
ON Semiconductor
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