ON Semiconductor MPSA56

生命周期状态

OBSOLETE (Last Updated: 1 week ago)

底架

通孔

包装/外壳

TO-92

引脚数

3

质量

201mg

Collector-Emitter Breakdown Voltage

80V

Collector-Emitter Saturation Voltage

250mV

Frequency(Max)

50MHz

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

625mW

hFEMin

100

包装

Bulk

已出版

1996

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

-80V

额定电流

-500mA

频率

50MHz

极性

PNP

元素配置

Single

功率耗散

625mW

增益带宽积

100MHz

集电极发射器电压(VCEO)

80V

最大集电极电流

500mA

频率转换

50MHz

集电极基极电压(VCBO)

-80V

发射极基极电压 (VEBO)

-4V

高度

5.33mm

长度

5.2mm

宽度

4.19mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅