ON Semiconductor MPSA70RLRMG

生命周期状态

OBSOLETE (Last Updated: 1 week ago)

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

40V

Collector-Emitter Saturation Voltage

-250mV

Current-Collector (Ic) (Max)

100mA

Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)

125MHz

Power Dissipation (Max)

625mW

Number of Elements

1

hFEMin

40

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Box (TB)

已出版

2006

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

HTS代码

8541.21.00.75

电压 - 额定直流

-40V

端子位置

BOTTOM

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

-100mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

资历状况

不合格

元素配置

Single

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

250mV

最大集电极电流

100mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

40 @ 5mA 10V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

250mV @ 1mA, 10mA

转换频率

125MHz

发射极基极电压 (VEBO)

4V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅