ON Semiconductor MPSW45G

生命周期状态

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安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 Long Body

表面安装

NO

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

40V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.5V

Number of Elements

1

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2010

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

电压 - 额定直流

40V

最大功率耗散

1W

端子位置

BOTTOM

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

1A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

MPSW45

引脚数量

3

极性

NPN

元素配置

Single

功率耗散

1W

晶体管类型

NPN - Darlington

集电极发射器电压(VCEO)

40V

最大集电极电流

1A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

25000 @ 200mA 5V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.5V @ 2mA, 1A

转换频率

100MHz

频率转换

100MHz

集电极基极电压(VCBO)

50V

发射极基极电压 (VEBO)

12V

连续集电极电流

1A

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅