ON Semiconductor MTW32N20E

生命周期状态

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底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

32A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

180W Tc

Turn Off Delay Time

75 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2000

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

雪崩 额定

电压 - 额定直流

200V

峰值回流焊温度（摄氏度）

235

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

32A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

引脚数量

3

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

180W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

25 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

75m Ω @ 16A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

5000pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

120nC @ 10V

上升时间

120ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

91 ns

连续放电电流(ID)

32A

JEDEC-95代码

TO-247AE

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.075Ohm

漏源击穿电压

200V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

128A

雪崩能量等级（Eas）

810 mJ

高度

20.3mm

长度

15.9mm

宽度

5.3mm

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

含铅