ON Semiconductor MUN2111T3

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Number of Elements

1

hFEMin

35

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2008

JESD-609代码

e0

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

附加功能

BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1

HTS代码

8541.21.00.95

电压 - 额定直流

-50V

最大功率耗散

230mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

240

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

-100mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

MUN2111

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PDSO-G3

资历状况

不合格

极性

PNP

元素配置

Single

功率耗散

230mW

晶体管应用

SWITCHING

晶体管类型

PNP - Pre-Biased

集电极发射器电压(VCEO)

250mV

最大集电极电流

100mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

35 @ 5mA 10V

最大集极截止电流

500nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

250mV @ 300μA, 10mA

电阻基(R1)

10 k Ω

连续集电极电流

100mA

电阻-发射极基极(R2)

10 k Ω

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

含铅