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首页 分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置 MUN2211JT1G
MUN2211JT1G
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ON Semiconductor MUN2211JT1G

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型号

MUN2211JT1G

品牌

ON Semiconductor

utmel 编号

1807-MUN2211JT1G

商品类别

晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置

封装

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Bipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR NPN 50V

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MUN2211JT1G
MUN2211JT1G ON Semiconductor Bipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR NPN 50V

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MUN2211JT1G详情

技术参数

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型号对比

ON Semiconductor MUN2211JT1G重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 工厂交货时间

    10 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

  • 引脚数

    3

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    50V

  • hFEMin

    35

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2009

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 最高工作温度

    150°C

  • 最小工作温度

    -55°C

  • 电压 - 额定直流

    50V

  • 最大功率耗散

    230mW

  • 额定电流

    100mA

  • 基本部件号

    MUN2211

  • 引脚数量

    3

  • 极性

    NPN

  • 元素配置

    Single

  • 功率耗散

    338mW

  • 无卤素

    无卤素

  • 晶体管类型

    NPN - Pre-Biased

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    50V

  • 最大集电极电流

    100mA

  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

    35 @ 5mA 10V

  • 最大集极截止电流

    500nA

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

    250mV @ 300μA, 10mA

  • 电阻基(R1)

    10 k Ω

  • 连续集电极电流

    100mA

  • 电阻-发射极基极(R2)

    10 k Ω

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

  • 无铅

    无铅

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技术文档: ON Semiconductor MUN2211JT1G.

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公司资质

ISO13485
AS
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优势产品

选择时请仔细核对商品参数信息

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