MUN5233T1
MUN5233T1

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

价格梯度

内地含税价

  • 1

    ¥1.11743

  • 10

    ¥1.054183

  • 100

    ¥0.994507

  • 500

    ¥0.93822

  • 1000

    ¥0.88511

ON Semiconductor MUN5233T1

  • 收藏
  • 对比

型号

MUN5233T1

utmel 编号

1807-MUN5233T1

商品类别

晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置

封装

SC-70, SOT-323

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

SS SC70 BR XSTR NPN 50V

起订量

--最小包装量--

单价:

总价:

添加到询价列表
MUN5233T1
MUN5233T1 ON Semiconductor SS SC70 BR XSTR NPN 50V

单价: $

合计:

库存:2400

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

MUN5233T1详情

ON Semiconductor MUN5233T1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    SC-70, SOT-323

  • 表面安装

    YES

  • 供应商器件包装

    SC-70-3 (SOT323)

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Package

    Bulk

  • Current-Collector (Ic) (Max)

    100 mA

  • Base Product Number

    MUN52

  • 厂商

    onsemi

  • Product Status

    活跃

  • Package Description

    CASE 419-04, SC-70, 3 PIN

  • Package Style

    小概要

  • Moisture Sensitivity Levels

    未说明

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Manufacturer Package Code

    CASE 419-04

  • Reflow Temperature-Max (s)

    30

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    MUN5233T1

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    Rochester Electronics LLC

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    ROCHESTER ELECTRONICS LLC

  • Risk Rank

    5.3

  • Part Package Code

    SC-70

  • 系列

    -

  • JESD-609代码

    e0

  • 无铅代码

  • 端子表面处理

    锡铅

  • 附加功能

    BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 10

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    240

  • Reach合规守则

    unknown

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G3

  • 资历状况

    COMMERCIAL

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR

  • 功率 - 最大

    310 mW

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    NPN

  • 晶体管类型

    NPN - Pre-Biased

  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce

    80 @ 5mA, 10V

  • 最大集极截止电流

    500nA

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)

    250mV @ 1mA, 10mA

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    50 V

  • 集电极电流-最大值(IC)

    0.1 A

  • 最小直流增益(hFE)

    80

  • 电阻基(R1)

    4.7 kOhms

  • 电阻-发射极基极(R2)

    47 kOhms

  • 集电极-发射器电压-最大值

    50 V

0个相似型号

技术文档: ON Semiconductor MUN5233T1.

MUN5233T1拓展信息

MMUN2113LT1G
MMUN2113LT1G

ON Semiconductor

DTC144EM3T5G
DTC144EM3T5G

ON Semiconductor

MMUN2233LT1G
MMUN2233LT1G

ON Semiconductor

MMUN2133LT1G
MMUN2133LT1G

ON Semiconductor

MMUN2116LT1G
MMUN2116LT1G

ON Semiconductor

MUN5233T1G
MUN5233T1G

ON Semiconductor

MUN2214T1G
MUN2214T1G

ON Semiconductor

DTC143EET1G
DTC143EET1G

ON Semiconductor

MUN5211T1G
MUN5211T1G

ON Semiconductor

MMUN2216LT1G
MMUN2216LT1G

ON Semiconductor

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z