ON Semiconductor MUR4100EG
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MUR4100EG
1807-MUR4100EG
二极管 - 整流器 - 单
DO-201AA, DO-27, Axial
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DIODE GEN PURP 1KV 4A DO201AD
--最小包装量--
MUR4100EG详情
ON Semiconductor MUR4100EG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
12 Weeks
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
触点镀层
Tin
包装/外壳
DO-201AA, DO-27, Axial
表面安装
NO
安装类型
通孔
引脚数
2
质量
4.535924g
二极管元件材料
SILICON
Breakdown Voltage / V
1kV
Number of Elements
1
包装
Bulk
系列
SWITCHMODE™
已出版
2000
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
最高工作温度
175°C
最小工作温度
-65°C
应用
超快恢复能力
附加功能
自由旋转二极管
HTS代码
8541.10.00.80
电压 - 额定直流
1kV
终端形式
WIRE
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
4A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
MUR4100
引脚数量
2
元素配置
Single
速度
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
二极管类型
Standard
反向泄漏电流@ Vr
25μA @ 1000V
输出电流
4A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.85V @ 4A
箱体转运
ISOLATED
正向电流
4A
工作温度 - 结点
-65°C~175°C
最大浪涌电流
70A
无卤素
无卤素
电压 - 直流逆向(Vr)(最大值)
1000V
正向电压
1.85V
最大反向电压(DC)
1kV
平均整流电流
4A
相位的数量
1
反向恢复时间
100 ns
峰值反向电流
25μA
最大重复反向电压(Vrrm)
1kV
峰值非恢复性浪涌电流
70A
反向电压
1kV
最大正向浪涌电流(Ifsm)
70A
恢复时间
100 ns
直径
5.3mm
宽度
63.5mm
长度
5.2832mm
高度
9.5mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
MUR4100EG拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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ON Semiconductor
ON Semiconductor
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